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BORN BMSN3139
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BMSN3139 |
| EBEE-Teilenummer | E819078062 |
| Gehäuse | SOT-323 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 2A 300mW 190mΩ@2.5V,1.5A 1.1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0222 | $ 0.4440 |
| 200+ | $0.0175 | $ 3.5000 |
| 600+ | $0.0149 | $ 8.9400 |
| 3000+ | $0.0133 | $ 39.9000 |
| 12000+ | $0.0116 | $ 139.2000 |
| 18000+ | $0.0108 | $ 194.4000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BORN BMSN3139 | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 190mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | - | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 405pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 75pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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