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BORN AO3415E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AO3415E |
| EBEE-Teilenummer | E82997267 |
| Gehäuse | SOT-23 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 20V 4.8A 45mΩ@4.5V,4A 1W 400mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0429 | $ 0.4290 |
| 100+ | $0.0384 | $ 3.8400 |
| 300+ | $0.0362 | $ 10.8600 |
| 3000+ | $0.0286 | $ 85.8000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BORN AO3415E | |
| RoHS | ||
| Typ | P-Channel | |
| RDS(on) | 65mΩ@2.5V | |
| Betriebstemperatur - | -50℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 85pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.5W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 675pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Einkaufsleitfaden
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| 300+ | $0.0362 | $ 10.8600 |
| 3000+ | $0.0286 | $ 85.8000 |
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