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BL(Shanghai Belling) BLM04N06-B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BLM04N06-B |
| EBEE-Teilenummer | E82924860 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 60V 150A 3.5mΩ@10V,50A 210W 3V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 10+ | $0.7113 | $ 7.1130 |
| 30+ | $0.6200 | $ 18.6000 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BL(Shanghai Belling) BLM04N06-B | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 4.2mΩ@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 680pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 150A | |
| Ciss-Input Capacitance | 8.2nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 760pF | |
| Gate Charge(Qg) | 186nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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