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BL(Shanghai Belling) BL3N150-B
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | BL3N150-B |
| EBEE-Teilenummer | E87436531 |
| Gehäuse | TO-263 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| Beschreibung | 1.5kV 3A 140W 5.8Ω@10V,1.5A 5V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0110 | $ 1.0110 |
| 10+ | $0.8278 | $ 8.2780 |
| 30+ | $0.7267 | $ 21.8010 |
| 100+ | $0.6130 | $ 61.3000 |
| 500+ | $0.5624 | $ 281.2000 |
| 800+ | $0.5403 | $ 432.2400 |
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Spezifikationen
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|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | BL(Shanghai Belling) BL3N150-B | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 5.8Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Drain to Source Voltage | 1.5kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.45nF | |
| Gate Charge(Qg) | 36nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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| 30+ | $0.7267 | $ 21.8010 |
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