Recommonended For You
Bilder dienen nur zur Referenz
Zu Favoriten hinzufügen
ANHI ASW65R110E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ASW65R110E |
| EBEE-Teilenummer | E85440019 |
| Gehäuse | TO-247 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 655V 30A 277.8W 110mΩ 4.2V@250uA 1 N-channel TO-247-3L MOSFETs ROHS |
Diese Materialien unterstützen maßgeschneiderte Kabel!
Mehr erfahren >>15 Auf Lager für schnelle Lieferung
15 verfügbar für sofortige LieferungKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
Empfohlen Für Sie
Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ANHI ASW65R110E | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 110mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+100℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.75pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 277.8W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.497nF | |
| Gate Charge(Qg) | 52nC |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
15 Stock for Shipping Fast
15 available for immediate shippingKann in 1-2 Werktagen versendet werden
Verkaufseinheit: PieceVollständige Packung: 200
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8220 | $ 1.8220 |
| 10+ | $1.5976 | $ 15.9760 |
| 25+ | $1.4583 | $ 36.4575 |
| 100+ | $1.3406 | $ 134.0600 |
| 500+ | $1.2632 | $ 631.6000 |
| 1000+ | $1.2292 | $ 1229.2000 |
Bester Preis für größere Mengen?
$
