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ANHI ASU65R1K4E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ASU65R1K4E |
| EBEE-Teilenummer | E819192892 |
| Gehäuse | TO-251 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 655V 4A 28W 1.24Ω 3.5V 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.2031 | $ 10.1550 |
| 150+ | $0.1905 | $ 28.5750 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ANHI ASU65R1K4E | |
| RoHS | ||
| Typ | N-Channel | |
| RDS(on) | 1.4Ω@10V | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 655V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 238pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.76nC |
Einkaufsleitfaden
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