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ANHI ASM60R330E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ASM60R330E |
| EBEE-Teilenummer | E85440039 |
| Gehäuse | DFN8x8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 650V 11A 330mΩ 176W 2.8V@250uA 1 N-channel DFN8x8 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.7201 | $ 7.2010 |
| 30+ | $0.6521 | $ 19.5630 |
| 100+ | $0.5872 | $ 58.7200 |
| 500+ | $0.5470 | $ 273.5000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ANHI ASM60R330E | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 330mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 6.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.8V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.082nF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
Einkaufsleitfaden
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