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ANHI ASD65R550E


Hersteller
Hersteller-Teilenummer
ASD65R550E
EBEE-Teilenummer
E85440011
Gehäuse
TO-252
Kundennummer
Datenblatt
EDA-Modelle
ECCN
-
Beschreibung
700V 8A 76W 550mΩ 3.5V TO-252 MOSFETs ROHS
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10+$0.3667$ 3.6670
30+$0.3320$ 9.9600
100+$0.2988$ 29.8800
500+$0.2761$ 138.0500
1000+$0.2626$ 262.6000
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TypBeschreibung
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KategorieTransistoren/Thyristoren ,MOSFET
DatenblattANHI ASD65R550E
RoHS
RDS(on)550mΩ
Betriebstemperatur --55℃~+150℃
Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds)3.55pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation178.1W
Drain to Source Voltage700V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))3.5V
Current - Continuous Drain(Id)8A
Ciss-Input Capacitance599pF
Gate Charge(Qg)8nC

Einkaufsleitfaden

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