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ANHI ASD65R350E
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | ASD65R350E |
| EBEE-Teilenummer | E85440010 |
| Gehäuse | TO-252 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 700V 11A 350mΩ 83W 3.5V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.5177 | $ 5.1770 |
| 30+ | $0.4698 | $ 14.0940 |
| 100+ | $0.4312 | $ 43.1200 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | ANHI ASD65R350E | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 350mΩ | |
| Betriebstemperatur - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 700V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 901pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Einkaufsleitfaden
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