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AGM-Semi AGM628MAP
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AGM628MAP |
| EBEE-Teilenummer | E822364308 |
| Gehäuse | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | None |
| Beschreibung | 60V 25A 35W 1 N-Channel + 1 P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1838 | $ 9.1900 |
| 150+ | $0.1647 | $ 24.7050 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | AGM-Semi AGM628MAP | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 60V | |
| Dauerdr. | 25A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 30mΩ@10V,15A;44mΩ@10V,15A | |
| Stromableitung (Pd) | 35W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.5V@250uA;1.7V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 0.868nF@30V;0.748nF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 19nC@10V;25nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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