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AGM-Semi AGM30P08AP
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AGM30P08AP |
| EBEE-Teilenummer | E85349152 |
| Gehäuse | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 30V 60A 7.2mΩ@10V,15A 50W 1.6V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
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| 5+ | $0.1948 | $ 0.9740 |
| 50+ | $0.1569 | $ 7.8450 |
| 150+ | $0.1405 | $ 21.0750 |
| 500+ | $0.1203 | $ 60.1500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | AGM-Semi AGM30P08AP | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 30V | |
| Dauerdr. | 60A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 7.2mΩ@10V,15A | |
| Stromableitung (Pd) | 50W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.6V@250uA | |
| Eingangsfähigkeit (Ciss-Vds) | 2.497nF@30V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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