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AGM-Semi AGM18N10AP
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AGM18N10AP |
| EBEE-Teilenummer | E87509649 |
| Gehäuse | PDFN-8(3.3x3.3) |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 35A 45W 17mΩ@10V,12A 1.6V@250uA 1 N-channel PDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
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| 150+ | $0.1030 | $ 15.4500 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | AGM-Semi AGM18N10AP | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 N-channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 35A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 17mΩ@10V,12A | |
| Stromableitung (Pd) | 45W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.6V@250uA | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss-Vds) | 5.3pF@50V | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 12.5nC@10V |
Einkaufsleitfaden
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