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AGM-Semi AGM12N10AP
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AGM12N10AP |
| EBEE-Teilenummer | E817701055 |
| Gehäuse | PDFN3.3x3.3-8 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 55A 9.3mΩ@10V,20A 83W 1.8V@250uA 1 N-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | AGM-Semi AGM12N10AP | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 9.3mΩ@10V | |
| Number | 1 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 100V |
Einkaufsleitfaden
Ausklappen
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