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AGM-Semi AGM01P15AP
| Hersteller | |
| Hersteller-Teilenummer | AGM01P15AP |
| EBEE-Teilenummer | E87466531 |
| Gehäuse | PDFN3.3x3.3 |
| Kundennummer | |
| Datenblatt | |
| EDA-Modelle | |
| ECCN | - |
| Beschreibung | 100V 10.5A 315mΩ@10V,6A 33W 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel PDFN3.3x3.3 MOSFETs ROHS |
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| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
| 500+ | $0.1022 | $ 51.1000 |
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Spezifikationen
2768Produkte gefunden.Ähnliche anzeigen| Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
| Kategorie | Transistoren/Thyristoren ,MOSFET | |
| Datenblatt | AGM-Semi AGM01P15AP | |
| RoHS | ||
| Temperatur | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Typ | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Quelle Spannung (Vdss) | 100V | |
| Dauerdr. | 10.5A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on) -Vgs,Id) | 315mΩ@10V,6A | |
| Stromableitung (Pd) | 33W | |
| Torschwellenspannung (Vgs(th) Id) | 1.9V@250uA | |
| Gesamttorgebühr (Qg-Vgs) | 33nC@10V |
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| 50+ | $0.1352 | $ 6.7600 |
| 150+ | $0.1205 | $ 18.0750 |
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