| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SUP70040E-GE3 |
| رقم قطعة EBEE | E85932057 |
| الحزمة | TO-220AB |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 120A 125W 4mΩ@10V,20A 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4740 | $ 4.4740 |
| 200+ | $1.7853 | $ 357.0600 |
| 500+ | $1.7268 | $ 863.4000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SUP70040E-GE3 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 100V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 120A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 4mΩ@10V,20A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 125W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 165pF@50V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 5.1nF@50V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 120nC@10V |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4740 | $ 4.4740 |
| 200+ | $1.7853 | $ 357.0600 |
| 500+ | $1.7268 | $ 863.4000 |
| 1000+ | $1.6958 | $ 1695.8000 |
