63% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STB15N80K5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STB15N80K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8500932 |
| الحزمة | D2PAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 14A 0.375Ω@10V,7A 190W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>658 في المخزن للشحن السريع
658 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3584 | $ 1.3584 |
| 10+ | $1.2945 | $ 12.9450 |
| 30+ | $1.2570 | $ 37.7100 |
| 100+ | $1.2184 | $ 121.8400 |
| 500+ | $1.2008 | $ 600.4000 |
| 1000+ | $1.1926 | $ 1192.6000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STB15N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 375mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 14A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@640V |
دليل التسوق
توسيع
658 Stock for Shipping Fast
658 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3584 | $ 1.3584 |
| 10+ | $1.2945 | $ 12.9450 |
| 30+ | $1.2570 | $ 37.7100 |
| 100+ | $1.2184 | $ 121.8400 |
| 500+ | $1.2008 | $ 600.4000 |
| 1000+ | $1.1926 | $ 1192.6000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
