Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech SIR890DP-T1-GE3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SIR890DP-T1-GE3 |
| رقم قطعة EBEE | E8222431 |
| الحزمة | PowerPAK-SO-8 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 20V 30A 5W 0.0029Ω@10V,10A 1V@250uA 1 N-channel PowerPAK-SO-8 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>3 في المخزن للشحن السريع
3 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8774 | $ 3.8774 |
| 10+ | $3.7989 | $ 37.9890 |
| 30+ | $3.3659 | $ 100.9770 |
| 100+ | $3.3131 | $ 331.3100 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SIR890DP-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 4mΩ@4.5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 310pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.747nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 810pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
3 Stock for Shipping Fast
3 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8774 | $ 3.8774 |
| 10+ | $3.7989 | $ 37.9890 |
| 30+ | $3.3659 | $ 100.9770 |
| 100+ | $3.3131 | $ 331.3100 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
