12% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET 2N7002-HXY
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N7002-HXY |
| رقم قطعة EBEE | E84748728 |
| الحزمة | SOT-23 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 60V 300mA 350mW 2Ω@10V,0.5A 1.9V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>130780 في المخزن للشحن السريع
130780 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0097 | $ 0.1940 |
| 200+ | $0.0079 | $ 1.5800 |
| 600+ | $0.0070 | $ 4.2000 |
| 3000+ | $0.0055 | $ 16.5000 |
| 9000+ | $0.0050 | $ 45.0000 |
| 21000+ | $0.0048 | $ 100.8000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET 2N7002-HXY | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 2Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.9V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 300mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
دليل التسوق
توسيع
130780 Stock for Shipping Fast
130780 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0097 | $ 0.1940 |
| 200+ | $0.0079 | $ 1.5800 |
| 600+ | $0.0070 | $ 4.2000 |
| 3000+ | $0.0055 | $ 16.5000 |
| 9000+ | $0.0050 | $ 45.0000 |
| 21000+ | $0.0048 | $ 100.8000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
