Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech SIHD2N80E-GE3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SIHD2N80E-GE3 |
| رقم قطعة EBEE | E83291011 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 2.8A 62.5W 2.38Ω@10V,1A 2V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>918 في المخزن للشحن السريع
918 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9958 | $ 0.9958 |
| 10+ | $0.8163 | $ 8.1630 |
| 30+ | $0.7182 | $ 21.5460 |
| 75+ | $0.6081 | $ 45.6075 |
| 525+ | $0.5583 | $ 293.1075 |
| 975+ | $0.5356 | $ 522.2100 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SIHD2N80E-GE3 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 2.75Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 315pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | 90nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
918 Stock for Shipping Fast
918 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9958 | $ 0.9958 |
| 10+ | $0.8163 | $ 8.1630 |
| 30+ | $0.7182 | $ 21.5460 |
| 75+ | $0.6081 | $ 45.6075 |
| 525+ | $0.5583 | $ 293.1075 |
| 975+ | $0.5356 | $ 522.2100 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
