Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech SIE802DF-T1-E3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SIE802DF-T1-E3 |
| رقم قطعة EBEE | E86816575 |
| الحزمة | PolArPAK-10 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SIE802DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 30V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 60A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 1.9mΩ@10V,23.6A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 5.2W;125W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2.7V@250uA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 7nF@15V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 160nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
