Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech SI8802DB-T2-E1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SI8802DB-T2-E1 |
| رقم قطعة EBEE | E8727431 |
| الحزمة | XFBGA-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 8V 3.5A 0.054Ω@4.5V,1A 600mW 700mV@250uA 1 N-channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>261 في المخزن للشحن السريع
261 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8583 | $ 0.8583 |
| 10+ | $0.6831 | $ 6.8310 |
| 30+ | $0.5948 | $ 17.8440 |
| 100+ | $0.5080 | $ 50.8000 |
| 500+ | $0.4560 | $ 228.0000 |
| 1000+ | $0.4292 | $ 429.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SI8802DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 54mΩ@4.5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 600mW | |
| Drain to Source Voltage | 8V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
دليل التسوق
توسيع
261 Stock for Shipping Fast
261 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8583 | $ 0.8583 |
| 10+ | $0.6831 | $ 6.8310 |
| 30+ | $0.5948 | $ 17.8440 |
| 100+ | $0.5080 | $ 50.8000 |
| 500+ | $0.4560 | $ 228.0000 |
| 1000+ | $0.4292 | $ 429.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
