Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech SI8481DB-T1-E1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SI8481DB-T1-E1 |
| رقم قطعة EBEE | E8727389 |
| الحزمة | MicroFoot-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 20V 9.7A 21mΩ@4.5V,3A 1.1W 900mV@250uA 1 Piece P-Channel MicroFoot-4 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1815 | $ 0.1815 |
| 200+ | $0.0703 | $ 14.0600 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| 1000+ | $0.0666 | $ 66.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SI8481DB-T1-E1 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 1 Piece P-Channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 20V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 9.7A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 21mΩ@4.5V,3A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1.1W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 900mV@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 81pF@10V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 2.5nF@10V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | [email protected] |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1815 | $ 0.1815 |
| 200+ | $0.0703 | $ 14.0600 |
| 500+ | $0.0679 | $ 33.9500 |
| 1000+ | $0.0666 | $ 66.6000 |
