Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Vishay Intertech SI8472DB-T2-E1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | SI8472DB-T2-E1 |
| رقم قطعة EBEE | E8143657 |
| الحزمة | UFBGA-4 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 20V 3.3A 1.1W 0.044Ω@4.5V,1.5A 900mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>8 في المخزن للشحن السريع
8 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0926 | $ 1.0926 |
| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
| 30+ | $1.0603 | $ 31.8090 |
| 100+ | $1.0465 | $ 104.6500 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VISHAY SI8472DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 70mΩ@1.5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 18nC@8V |
دليل التسوق
توسيع
8 Stock for Shipping Fast
8 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0926 | $ 1.0926 |
| 10+ | $1.0726 | $ 10.7260 |
| 30+ | $1.0603 | $ 31.8090 |
| 100+ | $1.0465 | $ 104.6500 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
