Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
VBsemi Elec P0803BDG-VB
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | P0803BDG-VB |
| رقم قطعة EBEE | E822389796 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | TO-252 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>20 في المخزن للشحن السريع
20 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VBsemi Elec P0803BDG-VB | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 6mΩ@4.5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Gate Charge(Qg) | 107nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
20 Stock for Shipping Fast
20 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
