15% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
VBsemi Elec HY1908D-VB
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HY1908D-VB |
| رقم قطعة EBEE | E819632121 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 75A 5mΩ@10V 1 N-channel TO-252-2L MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>50 في المخزن للشحن السريع
50 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VBsemi Elec HY1908D-VB | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 8.7mΩ@5V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 76pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 75A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.855nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 950pF | |
| Gate Charge(Qg) | 54nC@6V |
دليل التسوق
توسيع
50 Stock for Shipping Fast
50 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9164 | $ 0.9164 |
| 10+ | $0.7450 | $ 7.4500 |
| 30+ | $0.6586 | $ 19.7580 |
| 100+ | $0.5736 | $ 57.3600 |
| 500+ | $0.5223 | $ 261.1500 |
| 1000+ | $0.4967 | $ 496.7000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
