15% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
VBsemi Elec BSP122-VB
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | BSP122-VB |
| رقم قطعة EBEE | E8724994 |
| الحزمة | SOT-223 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 200V 800mA 3.1W 2V@250uA 1 N-channel SOT-223-4 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>16 في المخزن للشحن السريع
16 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3779 | $ 0.3779 |
| 10+ | $0.2996 | $ 2.9960 |
| 30+ | $0.2645 | $ 7.9350 |
| 100+ | $0.2227 | $ 22.2700 |
| 500+ | $0.2038 | $ 101.9000 |
| 1000+ | $0.1930 | $ 193.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VBsemi Elec BSP122-VB | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 1.2Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 800mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 140pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 53pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
16 Stock for Shipping Fast
16 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3779 | $ 0.3779 |
| 10+ | $0.2996 | $ 2.9960 |
| 30+ | $0.2645 | $ 7.9350 |
| 100+ | $0.2227 | $ 22.2700 |
| 500+ | $0.2038 | $ 101.9000 |
| 1000+ | $0.1930 | $ 193.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
