Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
VBsemi Elec BSP110-VB
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | BSP110-VB |
| رقم قطعة EBEE | E8724993 |
| الحزمة | SOT-223 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 5A 3.3W 3V@250uA 1 N-channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>13 في المخزن للشحن السريع
13 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4716 | $ 0.4716 |
| 10+ | $0.3779 | $ 3.7790 |
| 30+ | $0.3366 | $ 10.0980 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
| 500+ | $0.2319 | $ 115.9500 |
| 1000+ | $0.2192 | $ 219.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | VBsemi Elec BSP110-VB | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 110mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 5.3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 27nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
13 Stock for Shipping Fast
13 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4716 | $ 0.4716 |
| 10+ | $0.3779 | $ 3.7790 |
| 30+ | $0.3366 | $ 10.0980 |
| 100+ | $0.2858 | $ 28.5800 |
| 500+ | $0.2319 | $ 115.9500 |
| 1000+ | $0.2192 | $ 219.2000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
