Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Tokmas CID18N65D5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | CID18N65D5 |
| رقم قطعة EBEE | E822446734 |
| الحزمة | DFN-8(5x6) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | DFN-8(5x6) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>189 في المخزن للشحن السريع
189 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3450 | $ 1.3450 |
| 10+ | $1.1041 | $ 11.0410 |
| 30+ | $0.9717 | $ 29.1510 |
| 100+ | $0.8472 | $ 84.7200 |
| 500+ | $0.7818 | $ 390.9000 |
| 1000+ | $0.7515 | $ 751.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| ورقة البيانات | Tokmas CID18N65D5 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
دليل التسوق
توسيع
189 Stock for Shipping Fast
189 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3450 | $ 1.3450 |
| 10+ | $1.1041 | $ 11.0410 |
| 30+ | $0.9717 | $ 29.1510 |
| 100+ | $0.8472 | $ 84.7200 |
| 500+ | $0.7818 | $ 390.9000 |
| 1000+ | $0.7515 | $ 751.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
