| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | GBG65200NMAR |
| رقم قطعة EBEE | E828324645 |
| الحزمة | PDFN-9L(8x8) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | PDFN-9L(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3381 | $ 2.3381 |
| 10+ | $2.0247 | $ 20.2470 |
| 30+ | $1.8284 | $ 54.8520 |
| 100+ | $1.6284 | $ 162.8400 |
| 500+ | $1.5384 | $ 769.2000 |
| 1000+ | $1.4987 | $ 1498.7000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | أجهزة نيتريد الغاليوم (GaN) ,ترانسسترات GaN (GaN HEMT) | |
| ورقة البيانات | GOSEMICON GBG65200NMAR | |
| RoHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3381 | $ 2.3381 |
| 10+ | $2.0247 | $ 20.2470 |
| 30+ | $1.8284 | $ 54.8520 |
| 100+ | $1.6284 | $ 162.8400 |
| 500+ | $1.5384 | $ 769.2000 |
| 1000+ | $1.4987 | $ 1498.7000 |
