Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STY112N65M5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STY112N65M5 |
| رقم قطعة EBEE | E82965377 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 96A 19mΩ@10V,48A 625W 2.1V@250uA TO-247-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STY112N65M5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 96A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 19mΩ@10V,48A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 625W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2.1V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 7pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 16870pF | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 350nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $106.6637 | $ 106.6637 |
| 200+ | $41.2773 | $ 8255.4600 |
| 500+ | $39.8277 | $ 19913.8500 |
| 1000+ | $39.1112 | $ 39111.2000 |
