Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STW56N65DM2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STW56N65DM2 |
| رقم قطعة EBEE | E8165942 |
| الحزمة | TO-247-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 48A 65mΩ@10V,24A 360W 5V@250uA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6520 | $ 7.6520 |
| 10+ | $6.8409 | $ 68.4090 |
| 30+ | $6.3457 | $ 190.3710 |
| 90+ | $5.9303 | $ 533.7270 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STW56N65DM2 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 48A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 65mΩ@10V,24A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 360W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 5V@250uA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 4.1nF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 88nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $7.6520 | $ 7.6520 |
| 10+ | $6.8409 | $ 68.4090 |
| 30+ | $6.3457 | $ 190.3710 |
| 90+ | $5.9303 | $ 533.7270 |
