Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STU9N65M2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STU9N65M2 |
| رقم قطعة EBEE | E87021450 |
| الحزمة | TO-251(IPAK) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 5A 900mΩ@10V,2.5A 60W 4V@250uA 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0408 | $ 2.0408 |
| 225+ | $0.8142 | $ 183.1950 |
| 525+ | $0.7868 | $ 413.0700 |
| 975+ | $0.7740 | $ 754.6500 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STU9N65M2 | |
| RoHS | ||
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 5A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 900mΩ@10V,2.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 60W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4V@250uA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 315pF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 10nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.0408 | $ 2.0408 |
| 225+ | $0.8142 | $ 183.1950 |
| 525+ | $0.7868 | $ 413.0700 |
| 975+ | $0.7740 | $ 754.6500 |
