Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STU4N80K5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STU4N80K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8495250 |
| الحزمة | IPAK(TO-251) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 3A 2.1Ω@10V,1.5A 60W 3V@100uA 1 N-channel IPAK(TO-251) MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2603 | $ 1.2603 |
| 10+ | $1.2372 | $ 12.3720 |
| 30+ | $1.2213 | $ 36.6390 |
| 100+ | $1.2053 | $ 120.5300 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STU4N80K5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 3A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 2.1Ω@10V,1.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 60W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@100uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 175pF | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 10.5nC@640V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2603 | $ 1.2603 |
| 10+ | $1.2372 | $ 12.3720 |
| 30+ | $1.2213 | $ 36.6390 |
| 100+ | $1.2053 | $ 120.5300 |
