Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STP4N150
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STP4N150 |
| رقم قطعة EBEE | E8457448 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 1.5kV 4A 7Ω@10V,2A 160W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>135 في المخزن للشحن السريع
135 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7705 | $ 3.7705 |
| 10+ | $3.2609 | $ 32.6090 |
| 50+ | $2.9422 | $ 147.1100 |
| 100+ | $2.6157 | $ 261.5700 |
| 500+ | $2.4674 | $ 1233.7000 |
| 1000+ | $2.4043 | $ 2404.3000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STP4N150 | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 7Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 160W | |
| Drain to Source Voltage | 1.5kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@600V |
دليل التسوق
توسيع
135 Stock for Shipping Fast
135 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.7705 | $ 3.7705 |
| 10+ | $3.2609 | $ 32.6090 |
| 50+ | $2.9422 | $ 147.1100 |
| 100+ | $2.6157 | $ 261.5700 |
| 500+ | $2.4674 | $ 1233.7000 |
| 1000+ | $2.4043 | $ 2404.3000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
