Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STP200N3LL
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STP200N3LL |
| رقم قطعة EBEE | E82971658 |
| الحزمة | TO-220-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 30V 120A 2.4mΩ@10V,60A 176.5W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4244 | $ 3.4244 |
| 10+ | $2.9764 | $ 29.7640 |
| 30+ | $2.6965 | $ 80.8950 |
| 100+ | $2.3009 | $ 230.0900 |
| 500+ | $2.1710 | $ 1085.5000 |
| 1000+ | $2.1150 | $ 2115.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STP200N3LL | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 30V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 120A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 2.4mΩ@10V,60A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 176.5W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2.5V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 510pF@25V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 5.2nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | [email protected] |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.4244 | $ 3.4244 |
| 10+ | $2.9764 | $ 29.7640 |
| 30+ | $2.6965 | $ 80.8950 |
| 100+ | $2.3009 | $ 230.0900 |
| 500+ | $2.1710 | $ 1085.5000 |
| 1000+ | $2.1150 | $ 2115.0000 |
