Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STP18NM80
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STP18NM80 |
| رقم قطعة EBEE | E83290225 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 17A 295mΩ@10V,8.5A 190W 5V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7111 | $ 4.7111 |
| 10+ | $4.1345 | $ 41.3450 |
| 30+ | $3.7902 | $ 113.7060 |
| 100+ | $3.4443 | $ 344.4300 |
| 500+ | $3.2845 | $ 1642.2500 |
| 1000+ | $3.2117 | $ 3211.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STP18NM80 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 17A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 295mΩ@10V,8.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 190W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 5V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 29pF@50V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 2.07nF@50V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 70nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7111 | $ 4.7111 |
| 10+ | $4.1345 | $ 41.3450 |
| 30+ | $3.7902 | $ 113.7060 |
| 100+ | $3.4443 | $ 344.4300 |
| 500+ | $3.2845 | $ 1642.2500 |
| 1000+ | $3.2117 | $ 3211.7000 |
