Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STL3NM60N
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STL3NM60N |
| رقم قطعة EBEE | E82971142 |
| الحزمة | PowerFLAT-8(3.3x3.3) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 600V 2.2A 1.5Ω@10V,1A 22W 2.1V@250uA 1 N-channel PowerFLAT-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2648 | $ 1.2648 |
| 10+ | $1.0800 | $ 10.8000 |
| 30+ | $0.9785 | $ 29.3550 |
| 100+ | $0.8643 | $ 86.4300 |
| 500+ | $0.7774 | $ 388.7000 |
| 1000+ | $0.7538 | $ 753.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STL3NM60N | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 600V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 2.2A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 1.5Ω@10V,1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 22W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2.1V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 1.1pF@50V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 188pF | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 9.5nC@480V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2648 | $ 1.2648 |
| 10+ | $1.0800 | $ 10.8000 |
| 30+ | $0.9785 | $ 29.3550 |
| 100+ | $0.8643 | $ 86.4300 |
| 500+ | $0.7774 | $ 388.7000 |
| 1000+ | $0.7538 | $ 753.8000 |
