Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STL15N65M5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STL15N65M5 |
| رقم قطعة EBEE | E82970161 |
| الحزمة | VDFN-8-Power |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 10A 52W 375mΩ@10V,5A 4V@250uA 1 N-channel VDFN-8-Power MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6630 | $ 3.6630 |
| 200+ | $1.4185 | $ 283.7000 |
| 500+ | $1.3693 | $ 684.6500 |
| 1000+ | $1.3438 | $ 1343.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STL15N65M5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 10A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 375mΩ@10V,5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 52W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2.6pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 816pF | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 22nC@520V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6630 | $ 3.6630 |
| 200+ | $1.4185 | $ 283.7000 |
| 500+ | $1.3693 | $ 684.6500 |
| 1000+ | $1.3438 | $ 1343.8000 |
