Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STH15810-2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STH15810-2 |
| رقم قطعة EBEE | E8136034 |
| الحزمة | H2PAK-2 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 100V 110A 3.9mΩ@10V,55A 250W 4.5V@250uA 1 N-channel H2PAK-2 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6580 | $ 1.6580 |
| 10+ | $1.4396 | $ 14.3960 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.1822 | $ 118.2200 |
| 500+ | $1.1218 | $ 560.9000 |
| 1000+ | $1.0934 | $ 1093.4000 |
| 2000+ | $1.0828 | $ 2165.6000 |
| 4000+ | $1.0757 | $ 4302.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STH15810-2 | |
| RoHS | ||
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 100V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 110A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 3.9mΩ@10V,55A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 250W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4.5V@250uA |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6580 | $ 1.6580 |
| 10+ | $1.4396 | $ 14.3960 |
| 30+ | $1.3188 | $ 39.5640 |
| 100+ | $1.1822 | $ 118.2200 |
| 500+ | $1.1218 | $ 560.9000 |
| 1000+ | $1.0934 | $ 1093.4000 |
| 2000+ | $1.0828 | $ 2165.6000 |
| 4000+ | $1.0757 | $ 4302.8000 |
