Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STFI20N65M5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STFI20N65M5 |
| رقم قطعة EBEE | E85909779 |
| الحزمة | I2PAKFP(TO-281) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 18A 48W 190mΩ@10V,9A 3V@250uA 1 N-channel I2PAKFP(TO-281) MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8978 | $ 5.8978 |
| 200+ | $2.3529 | $ 470.5800 |
| 500+ | $2.2745 | $ 1137.2500 |
| 1000+ | $2.2361 | $ 2236.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STFI20N65M5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 18A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 190mΩ@10V,9A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 48W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 3.7pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 1.434nF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $5.8978 | $ 5.8978 |
| 200+ | $2.3529 | $ 470.5800 |
| 500+ | $2.2745 | $ 1137.2500 |
| 1000+ | $2.2361 | $ 2236.1000 |
