Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STF12N65M2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STF12N65M2 |
| رقم قطعة EBEE | E82965438 |
| الحزمة | TO-220-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 8A 0.5Ω@10V,4A 25W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6072 | $ 4.6072 |
| 10+ | $4.0402 | $ 40.4020 |
| 30+ | $3.7043 | $ 111.1290 |
| 100+ | $3.3647 | $ 336.4700 |
| 500+ | $3.0541 | $ 1527.0500 |
| 1000+ | $2.9837 | $ 2983.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STF12N65M2 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 8A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 0.5Ω@10V,4A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 25W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 4V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 1.1pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 535pF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 16.7nC@520V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6072 | $ 4.6072 |
| 10+ | $4.0402 | $ 40.4020 |
| 30+ | $3.7043 | $ 111.1290 |
| 100+ | $3.3647 | $ 336.4700 |
| 500+ | $3.0541 | $ 1527.0500 |
| 1000+ | $2.9837 | $ 2983.7000 |
