Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD80N6F6
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD80N6F6 |
| رقم قطعة EBEE | E85269559 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 80A 4.4mΩ@10V,40A 120W 3V@250uA DPAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0899 | $ 3.0899 |
| 200+ | $1.1961 | $ 239.2200 |
| 500+ | $1.1547 | $ 577.3500 |
| 1000+ | $1.1331 | $ 1133.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD80N6F6 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃ | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 60V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 80A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 4.4mΩ@10V,40A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 120W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 400pF@25V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 8325pF@25V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0899 | $ 3.0899 |
| 200+ | $1.1961 | $ 239.2200 |
| 500+ | $1.1547 | $ 577.3500 |
| 1000+ | $1.1331 | $ 1133.1000 |
