Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD7LN80K5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD7LN80K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8500963 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 5A 950mΩ@10V,2.5A 85W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3892 | $ 2.3892 |
| 10+ | $2.0910 | $ 20.9100 |
| 30+ | $1.9029 | $ 57.0870 |
| 100+ | $1.7129 | $ 171.2900 |
| 500+ | $1.6260 | $ 813.0000 |
| 1000+ | $1.5887 | $ 1588.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD7LN80K5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 5A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 950mΩ@10V,2.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 85W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@100uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 0.5pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 270pF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 12nC@640V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3892 | $ 2.3892 |
| 10+ | $2.0910 | $ 20.9100 |
| 30+ | $1.9029 | $ 57.0870 |
| 100+ | $1.7129 | $ 171.2900 |
| 500+ | $1.6260 | $ 813.0000 |
| 1000+ | $1.5887 | $ 1588.7000 |
