Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD65N160M9
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD65N160M9 |
| رقم قطعة EBEE | E85268775 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 650V 20A 106W 132mΩ@10V,10A 3.2V@250uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3462 | $ 4.3462 |
| 200+ | $1.6830 | $ 336.6000 |
| 500+ | $1.6228 | $ 811.4000 |
| 1000+ | $1.5936 | $ 1593.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD65N160M9 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 20A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 132mΩ@10V,10A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 106W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3.2V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 15pF@400V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 1240pF@400V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 32nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3462 | $ 4.3462 |
| 200+ | $1.6830 | $ 336.6000 |
| 500+ | $1.6228 | $ 811.4000 |
| 1000+ | $1.5936 | $ 1593.6000 |
