Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD4NK80Z-1
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD4NK80Z-1 |
| رقم قطعة EBEE | E8457496 |
| الحزمة | TO-251 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 3A 3.5Ω@10V,1.5A 25W 3V@50uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD4NK80Z-1 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 3A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 3.5Ω@10V,1.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 25W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@50uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 13pF@25V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 575pF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 22.5nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1833 | $ 2.1833 |
| 10+ | $1.9322 | $ 19.3220 |
| 30+ | $1.7751 | $ 53.2530 |
| 75+ | $1.6145 | $ 121.0875 |
| 525+ | $1.5422 | $ 809.6550 |
| 975+ | $1.5097 | $ 1471.9575 |
