Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD4N90K5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD4N90K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8500958 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 900V 3A 2.1Ω@10V,1A 60W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1389 | $ 2.1389 |
| 10+ | $1.8602 | $ 18.6020 |
| 30+ | $1.6862 | $ 50.5860 |
| 100+ | $1.5088 | $ 150.8800 |
| 500+ | $1.4272 | $ 713.6000 |
| 1000+ | $1.3916 | $ 1391.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD4N90K5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 900V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 3A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 2.1Ω@10V,1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 60W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@100uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 1pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 173pF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 5.3nC@720V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.1389 | $ 2.1389 |
| 10+ | $1.8602 | $ 18.6020 |
| 30+ | $1.6862 | $ 50.5860 |
| 100+ | $1.5088 | $ 150.8800 |
| 500+ | $1.4272 | $ 713.6000 |
| 1000+ | $1.3916 | $ 1391.6000 |
