| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD3N80K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8181036 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 2.5A 60W 2.8Ω@10V,1A 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9188 | $ 0.9188 |
| 10+ | $0.7534 | $ 7.5340 |
| 30+ | $0.6699 | $ 20.0970 |
| 100+ | $0.5879 | $ 58.7900 |
| 500+ | $0.5381 | $ 269.0500 |
| 1000+ | $0.5124 | $ 512.4000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD3N80K5 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 3.5Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | - | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 0.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 130pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 14pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@10V |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9188 | $ 0.9188 |
| 10+ | $0.7534 | $ 7.5340 |
| 30+ | $0.6699 | $ 20.0970 |
| 100+ | $0.5879 | $ 58.7900 |
| 500+ | $0.5381 | $ 269.0500 |
| 1000+ | $0.5124 | $ 512.4000 |
