Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD1HN60K3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD1HN60K3 |
| رقم قطعة EBEE | E8500953 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 600V 1.2A 6.7Ω@10V,600mA 27W 4.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>1 في المخزن للشحن السريع
1 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2104 | $ 1.2104 |
| 10+ | $1.1810 | $ 11.8100 |
| 30+ | $1.1610 | $ 34.8300 |
| 100+ | $1.1424 | $ 114.2400 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD1HN60K3 | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 6.7Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 27W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 9.5nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
1 Stock for Shipping Fast
1 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2104 | $ 1.2104 |
| 10+ | $1.1810 | $ 11.8100 |
| 30+ | $1.1610 | $ 34.8300 |
| 100+ | $1.1424 | $ 114.2400 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
