Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD18N55M5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD18N55M5 |
| رقم قطعة EBEE | E8183258 |
| الحزمة | TO-252-2(DPAK) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 550V 16A 110W 192mΩ@10V,8A 5V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8394 | $ 3.8394 |
| 10+ | $3.4045 | $ 34.0450 |
| 30+ | $3.1454 | $ 94.3620 |
| 100+ | $2.8844 | $ 288.4400 |
| 500+ | $2.7637 | $ 1381.8500 |
| 1000+ | $2.7104 | $ 2710.4000 |
| 2500+ | $2.6803 | $ 6700.7500 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD18N55M5 | |
| RoHS | ||
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 550V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 16A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 192mΩ@10V,8A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 110W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 5V@250uA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 1.26nF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 31nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.8394 | $ 3.8394 |
| 10+ | $3.4045 | $ 34.0450 |
| 30+ | $3.1454 | $ 94.3620 |
| 100+ | $2.8844 | $ 288.4400 |
| 500+ | $2.7637 | $ 1381.8500 |
| 1000+ | $2.7104 | $ 2710.4000 |
| 2500+ | $2.6803 | $ 6700.7500 |
