Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
STMicroelectronics STD10LN80K5
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | STD10LN80K5 |
| رقم قطعة EBEE | E8500946 |
| الحزمة | DPAK |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 800V 8A 630mΩ@10V,4A 110W 3V@100uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8265 | $ 1.8265 |
| 10+ | $1.5887 | $ 15.8870 |
| 30+ | $1.4396 | $ 43.1880 |
| 100+ | $1.2870 | $ 128.7000 |
| 500+ | $1.2195 | $ 609.7500 |
| 1000+ | $1.1893 | $ 1189.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | ST STD10LN80K5 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 800V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 8A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 630mΩ@10V,4A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 110W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 3V@100uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 0.25pF@100V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 427pF@100V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 15nC@640V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.8265 | $ 1.8265 |
| 10+ | $1.5887 | $ 15.8870 |
| 30+ | $1.4396 | $ 43.1880 |
| 100+ | $1.2870 | $ 128.7000 |
| 500+ | $1.2195 | $ 609.7500 |
| 1000+ | $1.1893 | $ 1189.3000 |
